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NVH4L040N120SC1_V01	文件：363.47 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 40 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L Features •Typ.RDS(on)=40m •UltraLowGateCharge(QG(tot)=106nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=137pF) •100AvalancheTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTH4L040N120SC1_V01	文件：360.84 Kbytes Page：8 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–40mohm,1200V,M1,TO-247-4L Features •Typ.RDS(on)=40m •UltraLowGateCharge(QG(tot)=106nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=137pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typi	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 40 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L

Features •Typ.RDS(on)=40m •UltraLowGateCharge(QG(tot)=106nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=137pF) •100AvalancheTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevel

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SiliconCarbide(SiC)MOSFET–40mohm,1200V,M1,TO-247-4L

Features •Typ.RDS(on)=40m •UltraLowGateCharge(QG(tot)=106nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=137pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typi

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