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Power MOSFET ??0 V, ??.6 A, Single P?묬hannel SOT??23 文件:116.08 Kbytes 页数:5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
Power MOSFET 文件:118.65 Kbytes 页数:6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
Atomic EFI Install Kit LS1 and LS6, EV1 Injector 文件:1.00887 Mbytes 页数:2 Pages | MALLORY | MALLORY | ||
Advanced Power MOSFET FEATURES ■ Avalanche Rugged Technology ■ Rugged Gate Oxide Technology ■ Lower Input Capacitance ■ Improved Gate Charge ■ Extended Safe Operating Area ■ 175°C Operating Temperature ■ Lower Leakage Current : 10 μA (Max.) @ VDS = -60V ■ Low RDS(ON) : 0.22 Ω (Typ.) 文件:250.44 Kbytes 页数:7 Pages | Fairchild 仙童半导体 | Fairchild | ||
isc P-Channel MOSFET Transistor 文件:274.71 Kbytes 页数:2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC |
详细参数
- 型号:
NVF2955T
- 功能描述:
MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223
- RoHS:
是
- 类别:
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列:
-
- 标准包装:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点:
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C:
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装:
TO-220FP
- 包装:
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2140+ |
SOT223 |
14000 |
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2019+ |
SOT-223 |
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原厂渠道 可含税出货 |
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SOT-223 |
96000 |
一级分销商 |
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ON/安森美 |
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SOT-223 |
22000 |
原装正品 |
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ON/安森美 |
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SOT-223 |
120000 |
原装正品 可含税交易 |
询价 |
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