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NVF2955T1G

Power MOSFET ??0 V, ??.6 A, Single P?묬hannel SOT??23

文件:116.08 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NVF2955T1G

Power MOSFET

文件:118.65 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

PN2955

Atomic EFI Install Kit LS1 and LS6, EV1 Injector

文件:1.00887 Mbytes 页数:2 Pages

MALLORY

SFI2955

Advanced Power MOSFET

FEATURES ■ Avalanche Rugged Technology ■ Rugged Gate Oxide Technology ■ Lower Input Capacitance ■ Improved Gate Charge ■ Extended Safe Operating Area ■ 175°C Operating Temperature ■ Lower Leakage Current : 10 μA (Max.) @ VDS = -60V ■ Low RDS(ON) : 0.22 Ω (Typ.)

文件:250.44 Kbytes 页数:7 Pages

Fairchild

仙童半导体

SFI2955

isc P-Channel MOSFET Transistor

文件:274.71 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

详细参数

  • 型号:

    NVF2955T

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多NVF2955T供应商 更新时间2025-11-4 16:12:00