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NVD6828NL	文件：260.91 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 41A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 90V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =20mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：260.91 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NVD6828NLT4G	文件：1.46143 Mbytes Page：5 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS= 100 V, ID= 100 A RDS(ON) 文件：1.46143 Mbytes 页数：5 Pages	Bychip 百域芯	Bychip
NVD6828NL	文件：113.63 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 90 V, 20 m, 41 A, Single N.Channel 文件：113.63 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVD6828NL	文件：117.2 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：117.2 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVD6828NL_13	文件：117.2 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：117.2 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVD6828NLT4G	文件：117.2 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：117.2 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVD6828NLT4G	文件：113.63 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 90 V, 20 m, 41 A, Single N.Channel 文件：113.63 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVD6828NLT4G	文件：1.02913 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 80 V (D-S) MOSFET 文件：1.02913 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NVD6828NL	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 N 沟道功率 MOSFET 90V，41A，20mΩ Automotive Power MOSFET. 90V, 41A, 20 mOhm, Single N-Channel, DPAK, Logic Level. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications. • Low RDS(on)\n• Minimize Conduction Losses\n• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable\n• RoHS Compliant\n• Avalanche Energy Specified\n• High Current Capability;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
90
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.5
ID Max (A)：
41
PD Max (W)：
83
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
25
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
20
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
1.82
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
61
Ciss Typ (pF)：
2900
Package Type：
DPAK-3

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更多NVD6828供应商更新时间2025-11-5 9:50:00

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