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NVD5C464NLT4G	文件：241.8 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 40 V, 5.2 m, 64 A, Single N?묬hannel Features •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVD5C464NLT4G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：T6 40V DPAK EXPANSION AND	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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NVD5C464NLT4G

文件：241.8 Kbytes

Page：7 Pages

Power MOSFET 40 V, 5.2 m, 64 A, Single N?묬hannel

Features •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

NVD5C464NLT4G

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包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：T6 40V DPAK EXPANSION AND

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

产品属性

产品编号：
NVD5C464NLT4G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
18A（Ta），64A（Tc）
描述：
T6 40V DPAK EXPANSION AND

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