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NVD5C464NLT4G分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料

NVD5C464NLT4G
厂商型号

NVD5C464NLT4G

参数属性

NVD5C464NLT4G 包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:T6 40V DPAK EXPANSION AND

功能描述

Power MOSFET 40 V, 5.2 m, 64 A, Single N?묬hannel
T6 40V DPAK EXPANSION AND

文件大小

241.8 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-4 15:44:00

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NVD5C464NLT4G规格书详情

NVD5C464NLT4G属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由安森美半导体公司制造生产的NVD5C464NLT4G晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

特性 Features

• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

• Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

产品属性

更多
  • 产品编号:

    NVD5C464NLT4G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):

    18A(Ta),64A(Tc)

  • 描述:

    T6 40V DPAK EXPANSION AND

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON Semiconductor
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