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NVD5414N	文件：259.529 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 24A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 37mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：259.529 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NVD5414N	文件：111.38 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 24 Amps, 60 Volts Single N?묬hannel 文件：111.38 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVD5414NT4G	文件：111.38 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 24 Amps, 60 Volts Single N?묬hannel 文件：111.38 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVD5414NT4G	文件：99.76 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：99.76 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVD5414NT4G	文件：897 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET 文件：897 Kbytes 页数：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NVD5414N	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率 MOSFET，60V，24A，37mΩ，单 N 沟道，DPAK Automotive Power MOSFET using advanced planar 60V N-Channel technology ideal for use in DC motor drives, LED drivers, power supplies, converters, pulse width modulation (PWM) controls and bridge circuits where diode speed and commutating safe operating areas are crucial and benefit from an additiona Low RDS(on)Avalanche Energy SpecifiedPb-Free\nHigher EfficiencyRobust OperationROHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Compliance：
AEC QualifiedPPAP CapablePb-freeHalide free
Status：
Active
Description：
Power MOSFET 60V
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
60
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
24
PD Max (W)：
55
GS = 2.5 V\ style=\cursor：
help\>RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
GS = 4.5 V\ style=\cursor：
help\>RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
GS = 10 V\ style=\cursor：
help\>RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
GS = 4.5 V\ style=\cursor：
help\>Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
GS = 10 V\ style=\cursor：
help\>Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)：
800
Package Type：
DPAK-3

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