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NVD5117PLT4G	文件：889.04 Kbytes Page：4 Pages	P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  VDS= -60V, ID= -50A RDS(ON) 文件：889.04 Kbytes 页数：4 Pages	Bychip 百域芯	Bychip
NVD5117PLT4G	文件：81.84 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：81.84 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVD5117PLT4G	文件：146.49 Kbytes Page：6 Pages	??0 V, 16 m, ??1 A, Single P?묬hannel 文件：146.49 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
RF5117	文件：274.69 Kbytes Page：10 Pages	3V, 1.8GHz TO 2.8GHz LINEAR POWER AMPLIFIER Product Description The RF5117 is a linear, medium-power, high-efficiency amplifier IC designed specifically for battery-powered WLAN applications such as PC cards, mini PCI, and compact flash applications. The device is manufactured on an advanced Gallium Arsenide Heterojunction Bipolar Transi 文件：274.69 Kbytes 页数：10 Pages	RFMD 威讯联合	RFMD
RF5117	文件：277.08 Kbytes Page：12 Pages	3V, 1.8GHz TO 2.8GHz LINEAR POWER AMPLIFIER 文件：277.08 Kbytes 页数：12 Pages	RFMD 威讯联合	RFMD
RF5117	文件：374.65 Kbytes Page：12 Pages	3V, 1.8GHz TO 2.8GHz LINEAR POWER AMPLIFIER 文件：374.65 Kbytes 页数：12 Pages	RFMD 威讯联合	RFMD

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更多NVD5117PLT供应商更新时间2025-10-14 10:21:00