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NVD4856N	文件：261.1 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 89A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=25V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4.7mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：261.1 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NVD4856N	文件：124.52 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：124.52 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVD4856NT4G	文件：124.52 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：124.52 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVD4856N	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 N 沟道，功率 MOSFET，25V，89A，4.7mΩ Automotive Power MOSFET. 25V, 89A, 4.7 mOhm, Single N-Channel, DPAK, Logic Level. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications. Low Capacitance\nMinimize Driver Losses\nLow Rds(on)\nMinimize Conduction Losses\nOptimized Gate Charge\nMinimize Switching Losses\nTrench Technology\nPb-Free\nDC-DC Converters\nHigh/Low Side Switching;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Compliance：
AEC QualifiedPPAP CapablePb-freeHalide free
Status：
Active
Description：
Power MOSFET 25V
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
25
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.5
ID Max (A)：
89
PD Max (W)：
60
GS = 2.5 V\ style=\cursor：
help\>RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
GS = 4.5 V\ style=\cursor：
help\>RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
GS = 10 V\ style=\cursor：
help\>RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
GS = 4.5 V\ style=\cursor：
help\>Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
GS = 10 V\ style=\cursor：
help\>Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)：
2241
Package Type：
DPAK-3

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