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NVD14N03R	文件：78.63 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVD14N03RT4G	文件：78.63 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
14N03L	文件：960.36 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IPB14N03LA	文件：346.91 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPB14N03LAG	文件：280.58 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPD14N03L	文件：424.48 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOSBuckconverterseries Feature ●N-Channel ●LogicLevel ●LowOn-ResistanceRDS(on) ●ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) ●Superiorthermalresistance ●175°Coperatingtemperature ●Avalancherated ●dv/dtrated ●Idealforfastswitchingbuckconverter	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPI14N03LA	文件：346.91 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPP14N03LA	文件：346.91 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPU14N03L	文件：109.71 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOSPower-TransistorBuckconverterseries	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
NTD14N03R	文件：260.75 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=14A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=95mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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京海半导体(深圳)有限公司	NVD14N03RT4G	VB	21+	DPAK-3	10000	原装现货假一罚十	询价
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更多NVD14N03R供应商更新时间2025-7-16 14:28:00

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