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NVATS5A114PLZ	文件：843.13 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：843.13 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVATS5A114PLZT4G	文件：843.13 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：843.13 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVATS5A114PLZ	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-Channel Power MOSFET, -60V, -60A, 16mΩ Automotive Power MOSFET designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. ATPAK devices are Low on-resistance, High current capability and pin-compatible with DPAK(TO-252). AEC-Q101 qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications. • Low On-Resistance\n• Minimizes Conduction Losses, Reduces Heat generation\n• High Current Capability\n• Robust Load Performance\n• 100% Avalanche Tested\n• Safeguard Against Voltage Overstress Failures\n• AEC-Q101 qualified and PPAP capable\n• Suitable for Automotive Applications\n• ATPAK Pack;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
DT5A114E	文件：177.6 Kbytes Page：2 Pages	Transistor Switch Digital Transistor Arrays (Inclusdes Resistors) Features 1) A built-in bias resistor allows inverter circuit configuration without external resistors for input(see equivalent circuit diagram). 2) The bias resistor consists of a thin-film resistor which is completely isolated, providing the capability to positive-bias (PNP) the input, and avo 文件：177.6 Kbytes 页数：2 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
-60
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
-2.6
ID Max (A)：
-60
PD Max (W)：
72
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
21
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
16
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
92
Ciss Typ (pF)：
4000
Package Type：
DPAK (Single Gauge)/ATPAK

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