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NVATS4A103PZ	文件：433.09 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：433.09 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVATS4A103PZT4G	文件：1.025859 Mbytes Page：5 Pages	P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  VDS= -30V, ID= -60A RDS(ON) 文件：1.025859 Mbytes 页数：5 Pages	BYCHIP 百域芯	BYCHIP
NVATS4A103PZT4G	文件：433.09 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：433.09 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVATS4A103PZ	文件：300 bytes Page：1 Pages	P 沟道，功率 MOSFET，-30V，-60A，13mΩ The NVATS4A103PZ is a power MOSFET designed for compact size and high efficiency which can achieve high thermal performance. AEC-Q101 qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications. • Low On-Resistance\n• High Current Capability\n• 100% Avalanche Tested\n• AEC-Q101 qualified and PPAP capable\n• ATPAK package is pin-compatible with DPAK(TO-252)\n• RoHS compliance\n• Environmental consideration;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
-30
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
-2.6
ID Max (A)：
-60
PD Max (W)：
60
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
20.5
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
13
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
47
Ciss Typ (pF)：
2430
Package Type：
DPAK (Single Gauge)/ATPAK

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