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NVATS4A101PZ	文件：444.93 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：444.93 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVATS4A101PZT4G	文件：444.93 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：444.93 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVATS4A101PZ	文件：300 bytes Page：1 Pages	P 沟道，功率 MOSFET，-30V，-27A，30mΩ The NVATS4A101PZ is a power MOSFET designed for compact size and high efficiency which can achieve high thermal performance. AEC-Q101 qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications. • Low On-Resistance\n• Minimizes conduction losses, Reduces heat generation\n• High Current Capability\n• Robust load performance\n• 100% avalanche tested\n• Safeguard against voltage overstress failures\n• AEC-Q101 qualified and PPAP capable\n• Suitable for automotive applications\n• ATPAK pack;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
QS4A101Q	文件：91.52 Kbytes Page：7 Pages	QUICKSWITCH짰 PRODUCTS HIGH-PERFORMANCE CMOS ANALOG FOUR-CHANNEL SPST SWITCH WITH INDIVIDUAL ENABLES 文件：91.52 Kbytes 页数：7 Pages	IDT	IDT
QS4A101QG	文件：91.52 Kbytes Page：7 Pages	QUICKSWITCH짰 PRODUCTS HIGH-PERFORMANCE CMOS ANALOG FOUR-CHANNEL SPST SWITCH WITH INDIVIDUAL ENABLES 文件：91.52 Kbytes 页数：7 Pages	IDT	IDT
TVM4A101K	文件：2.1527 Mbytes Page：43 Pages	ZINC OXIDE VARISTOR 50 SERIES TVM0A270K SMD 0402 SIZE TVM1A080M SMD 0603 SIZE TVM2A080M SMD 0805 SIZE TVM3A080M SMD 1206 SIZE TVM4A080M SMD 1210 SIZE TVR05180 5 PIE VARISTOR TVR07180 7 PIE VARISTOR TVR10180 10 PIE VARISTOR TVR14180 14 PIE VARISTOR TVR20180 20 PIE VARISTOR TVR25 文件：2.1527 Mbytes 页数：43 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
-30
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
-2.6
ID Max (A)：
-27
PD Max (W)：
36
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
51
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
30
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
18.5
Ciss Typ (pF)：
875
Package Type：
DPAK (Single Gauge)/ATPAK

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