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NUS5530MN数据手册分立半导体产品的晶体管-特殊用途规格书PDF

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厂商型号

NUS5530MN

参数属性

NUS5530MN 封装/外壳为8-VDFN 裸露焊盘;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-特殊用途;NUS5530MN应用范围:通用;产品描述:IC MOSFET W/PNP SW TRANS 8-DFN

功能描述

集成式功率 MOSFET,带 PNP 低饱和压开关晶体管
IC MOSFET W/PNP SW TRANS 8-DFN

封装外壳

8-VDFN 裸露焊盘

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-18 13:31:00

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NUS5530MN规格书详情

描述 Description

This integrated device represents a new level of safety and board-space reduction by combining the 20 V P-Channel with a PNP Silicon Low VCE(sat) switching transistor.This newly integrated product provides higher efficiency and accuracy for battery powered portable electronics.

特性 Features

• Low RDS(on) (MOSFET) and Low VCE(sat) (Transistor)
• Higher Efficiency Extending Battery Life
• Logic Level Gate Drive (MOSFET)
• Performance DFN Package

应用 Application

• Power Management in Portable and Battery-Powered Products
• Cellular and Cordless Telephones
• PCMCIA Cards

简介

NUS5530MN属于分立半导体产品的晶体管-特殊用途。由制造生产的NUS5530MN晶体管 - 特殊用途特殊用途晶体管系列产品属于分立晶体管或晶体管阵列,带有或不带有附加的集成无源元件和内部连接,可用于或经调整用于某些狭窄或特定的用途,例如电流镜、平衡串联电容器组或负载切换。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :NUS5530MN

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :20

  • VGS Max (V)

    :12

  • VGS(th) Max (V)

    :1.2

  • ID Max (A)

    :3.9

  • PD Max (W)

    :1.3

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :83

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :50

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :9.7

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :-

  • Ciss Typ (pF)

    :710

  • Package Type

    :DFN-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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