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NUP4201DR2G

丝印:P4201TP26;Package:SOP-8;Low Capacitance TVS Array

Features *ProtectsfourI/Olines *Lowcapacitance(20pF)Max *Lowoperatingvoltage:5V *Lowclampingvoltage *Protectstwolinesincommonanddifferentialmode *Complieswithfollowingstandards: -IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:±30kV Contactdischarge:±30kV -

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

台舟电子台舟电子股份有限公司

NUP4201DR2G

Low Capacitance Surface Mount TVS for High-Speed Data Interfaces

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NUP4201DR2G

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:电路保护 TVS - 二极管 描述:TVS DIODE 5VWM 25VC 8-SOIC

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NUP4201DR2

LowCapacitanceSurfaceMountTVSforHigh-SpeedDataInterfaces

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产品属性

  • 产品编号:

    NUP4201DR2G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 类型:

    转向装置(轨至轨)

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    5V

  • 电压 - 击穿(最小值):

    6V

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):

    25V

  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):

    25A(8/20µs)

  • 功率 - 峰值脉冲:

    500W

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    通用

  • 不同频率时电容:

    5pF @ 1MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    TVS DIODE 5VWM 25VC 8-SOIC

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
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更多NUP4201DR2G供应商 更新时间2025-7-30 16:12:00