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NUP4201MR6T1G

丝印:V05;Package:SOT-26;LOW CAPACITANCE TVS DIODE ARRAY

Features Ultra low leakage: nA level Operating voltage: 5V Low clamping voltage Complies with following standards: – IEC 61000-4-2 (ESD) immunity test Air discharge: ±20kV Contact discharge: ±20kV – IEC61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns) – IEC61000-4-5 (Lightning) 5A (8/20 μs) RoHS Compliant A

文件:990.57 Kbytes 页数:7 Pages

LEIDITECH

雷卯电子

NUP4201MR6T1G

Low Capacitance TSOP-6 Diode-TVS Array for High Speed Data Lines Protection

文件:41.48 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NUP4201MR6T1G

Integrated Solutions for USB Line Protection and Termination

文件:1.05969 Mbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NUP4201MR6T1G

Transient Voltage Suppressors

文件:179.9 Kbytes 页数:9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NUP4201MR6T1G

Package:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6;包装:卷带(TR) 类别:电路保护 TVS - 二极管 描述:TVS DIODE 5VWM 16.6VC 6TSOP

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    NUP4201MR6T1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 类型:

    转向装置(轨至轨)

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    5V(最大)

  • 电压 - 击穿(最小值):

    6V

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):

    16.6V

  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):

    1A(8/20µs)

  • 功率 - 峰值脉冲:

    500W

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    通用

  • 不同频率时电容:

    3pF @ 1MHz

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

  • 供应商器件封装:

    6-TSOP

  • 描述:

    TVS DIODE 5VWM 16.6VC 6TSOP

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更多NUP4201MR6T1G供应商 更新时间2025-10-4 10:01:00