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NUP3112UPMUTAG

Quad Transient Voltage Suppressor Array

文件:141.78 Kbytes 页数:3 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NUP3112UPMUTAG

Quad Transient Voltage Suppressor Array

文件:76.51 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NUP3112UPMUTAG

浪涌保护器,四路,超低电容

The three-line voltage/surge array is designed to protect voltage-sensitive components that require ultra-low capacitance from ESD and surge events. This device features a common anode design which protects three independent high speed data lines and a Vcc power line in a single six-lead UDFN low pr • Low Profile of 0.50mm\n• For Ultra Slim Design\n• Low Capacitance Data Lines (0.7 pF Typical)\n• Protects up to Three Data Lines Plus a Vcc Pin\n• UDFN Package, 1.6 x 1.6mm\n• ESD Rating: IEC61000-4-2: Level 4 Contact (14 kV)\n• Vcc Pin = 15V Protection\n• D1, D2, and D3 Pins = 5.2V Minimum Protec;

ONSEMI

安森美半导体

NUP3112UPMUTAG

Package:6-UFDFN 裸露焊盘;包装:卷带(TR) 类别:电路保护 TVS - 二极管 描述:TVS DIODE 4VWM 6UDFN

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    NUP3112UPMUTAG

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 类型:

    齐纳

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    4V(最大)

  • 电压 - 击穿(最小值):

    5.2V

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    通用

  • 不同频率时电容:

    0.7pF @ 1MHz

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    6-UFDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    6-UDFN(1.6x1.6)

  • 描述:

    TVS DIODE 4VWM 6UDFN

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多NUP3112UPMUTAG供应商 更新时间2025-10-6 14:14:00