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SZNSP2201MR6T1G

ESDandSurgeProtectionDevice

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

SZNUP2201MR6T1G

TransientVoltageSuppressors

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

TPNUP2201MR6T1G

LowCapactiance2-LineESDProtection

Features ●Ultralowcapacitance:0.6pFtypical(I/OtoI/O) ●Ultralowleakage:nAlevel ●Lowoperatingvoltage:5V ●Lowclampingvoltage ●Complieswithfollowingstandards: -IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:±20kV Contactdischarge:±20kV -IEC61000-4-4(EFT)40A(5

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

台舟电子台舟电子股份有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    NUP2201MR6T1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 类型:

    转向装置(轨至轨)

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    5V(最大)

  • 电压 - 击穿(最小值):

    6V

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):

    20V

  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):

    8A(8/20µs)

  • 功率 - 峰值脉冲:

    500W

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    通用

  • 不同频率时电容:

    3pF @ 1MHz

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

  • 供应商器件封装:

    6-TSOP

  • 描述:

    TVS DIODE 5VWM 20VC 6TSOP

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多NUP2201MR6T1G供应商 更新时间2025-5-5 16:10:00