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VSO100N10MS	文件：469.87 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100UISTested APPLICATIONS •HighFrequencyBoostConverter •LEDBacklightforLCDTV	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
Y100N10E	文件：216.62 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET100AMPERES100VOLTSRDS(on)=0.011OHM TMOSE-FET™PowerFieldEffecttransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisnewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforh	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola

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VSO100N10MS

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N-Channel100V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI

Y100N10E

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TMOSPOWERFET100AMPERES100VOLTSRDS(on)=0.011OHM

TMOSE-FET™PowerFieldEffecttransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisnewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforh

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉加尔文制造公司

Motorola

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详细参数

型号：
NTY100N10G
功能描述：
MOSFET 100V 123A N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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