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NTTFS8D1N08H	文件：307.12 Kbytes Page：8 Pages	丝印：1N08；Package：WDFN8；MOSFET - Power, N-Channel, Shielded Gate 80 V, 8.3 m, 61 A General Description This N−Channel MOSFET is produced using ON Semiconductor’s advanced MOSFET process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on−state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode 文件：307.12 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTTFS8D1N08H	文件：300 bytes Page：1 Pages	Single N−Channel Power MOSFET 80V, 61A, 8.3m\u0002Ω Commercial Power MOSFET in a 3x3mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. • Low On-Resistance\n• Minimizes Conduction Losses\n• Low Gate Charge\n• Minimizes Switching Losses\n• Small Footprint (3x3 mm)\n• Compact Design\n• RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVTFS8D1N08H	文件：174.14 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET - Power, N-Channel, Shielded Gate 文件：174.14 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVTFS8D1N08HTAG	文件：174.14 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET - Power, N-Channel, Shielded Gate 文件：174.14 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVTFWS8D1N08HTAG	文件：174.14 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET - Power, N-Channel, Shielded Gate 文件：174.14 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
80
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
61
PD Max (W)：
3.2
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
\-\
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
\-\
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
8.3
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
\-\
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
23
Ciss Typ (pF)：
1450
Package Type：
WDFN-8

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更多NTTFS8D1N08H供应商更新时间2025-10-6 14:01:00

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