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NTTFS5826NL	文件：113.92 Kbytes Page：6 Pages	NTTFS5826NL 60 V, 24 m, Single N?묬hannel, 8FL 文件：113.92 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTTFS5826NLTAG	文件：113.92 Kbytes Page：6 Pages	NTTFS5826NL 60 V, 24 m, Single N?묬hannel, 8FL 文件：113.92 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTTFS5826NLTWG	文件：113.92 Kbytes Page：6 Pages	NTTFS5826NL 60 V, 24 m, Single N?묬hannel, 8FL 文件：113.92 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTTFS5826NL	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 N 沟道，功率 MOSFET，60V，20A，24mΩ Power MOSFET\n60 V, 24 mΩ, Single N−Channel, µ8FL • Low QG(TOT)\n• Minimize switching losses\n• Low Capacitance\n• Minimize driver losses\n• Small Footprint (3.3 x 3.3 mm)\n• Compact Design;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
60
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
3
ID Max (A)：
20
PD Max (W)：
19
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
32
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
24
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
16
Ciss Typ (pF)：
850
Package Type：
WDFN-8/u8FL

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更多NTTFS5826供应商更新时间2025-11-3 15:44:00

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