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NTTFS4D9N04XM	文件：138.45 Kbytes Page：6 Pages	MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate, 8FL 40 V, 4.9 m, 65 A Features •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant Applications •MotorDrive •BatteryProtection •SynchronousRec	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTTFS4D9N04XMTAG	文件：138.45 Kbytes Page：6 Pages	Marking：4D9N4；Package：WDFN8；MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate, 8FL 40 V, 4.9 m, 65 A Features •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant Applications •MotorDrive •BatteryProtection •SynchronousRec	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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NTTFS4D9N04XM

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MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate, 8FL 40 V, 4.9 m, 65 A

Features •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant Applications •MotorDrive •BatteryProtection •SynchronousRec

ONSEMION Semiconductor

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Marking：4D9N4；Package：WDFN8；MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate, 8FL 40 V, 4.9 m, 65 A

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更多NTTFS4D9N04XM供应商更新时间2025-7-25 15:08:00

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