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NTTFS4C13N

Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

NTTFS4C13NTAG

Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

NTTFS4C13NTWG

Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

NTTFS4C13N

单 N 沟道,功率 MOSFET,30V,38A,9.4mΩ

Power MOSFET 30V, 38A, Single N-Channel, µ8FL • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses\n• Low Capacitance to Minimize Driver Losses\n• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses\n• RoHS Compliant;

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    30

  • VGS Max (V):

    20

  • VGS(th) Max (V):

    2.1

  • ID Max (A):

    38

  • PD Max (W):

    21.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    14

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    9.4

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC):

    8.7

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    3.7

  • Ciss Typ (pF):

    770

  • Package Type:

    WDFN-8/u8FL

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更多NTTFS4C13N供应商 更新时间2025-12-11 15:21:00