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NTTFS4C02N

MOSFET ??Power, Single, N-Channel, 8FL 30 V, 170 A

文件:212.11 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTTFS4C02NTAG

MOSFET ??Power, Single, N-Channel, 8FL 30 V, 170 A

文件:212.11 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTTFS4C02N

单 N 沟道功率 MOSFET 30V,170A,2.25mΩ

Power MOSFET30 V, 170 A, Single N−Channel, \u00028FL • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses\n• Low Capacitance to Minimize Driver Losses\n• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses\n• RoHS Compliant;

ONSEMI

安森美半导体

NVTFS4C02N

MOSFET - Power, Single N-Channel, 8FL

文件:146.81 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NVTFS4C02NTAG

MOSFET - Power, Single N-Channel, 8FL

文件:146.81 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NVTFS4C02NWFTAG

MOSFET - Power, Single N-Channel, 8FL

文件:146.81 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    30

  • VGS Max (V):

    20

  • VGS(th) Max (V):

    2.2

  • ID Max (A):

    170

  • PD Max (W):

    91

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    3.1

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    2.25

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC):

    11.6

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    45

  • Ciss Typ (pF):

    2980

  • Package Type:

    WDFN-8/u8FL

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多NTTFS4C02N供应商 更新时间2025-12-1 9:19:00