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NTTFD9D0N06HL

MOSFET - Symmetrical Dual N-Channel

文件:354.98 Kbytes 页数:9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTTFD9D0N06HLTWG

MOSFET - Symmetrical Dual N-Channel

文件:354.98 Kbytes 页数:9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTTFD9D0N06HL

MOSFET, Power, 60V POWERTRENCH® Power Clip Half Bridge Configuration

MOSFET, Power,60V POWERTRENCH® Power Clip Symmetric Dual N-Channel, 9mΩ @ 10V, 80A, WQFN12 3.3x3.3mm • Advance Package Technology in Small Footprint (3x3mm)\n• Configured as a half bridge to reduce package parasitics\n• Low RDS(on)\n• Minimize Conduction Losses\n• Low Qg and Capacitance\n• Minimize Driver Losses;

ONSEMI

安森美半导体

NTTFS4C10NTAG

ON
WDFN-8

ON

NTTFS5116PLTAG

ON
WDFN-8

ON

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Dual

  • V(BR)DSS Min (V):

    60

  • VGS Max (V):

    20

  • VGS(th) Max (V):

    2

  • ID Max (A):

    38

  • PD Max (W):

    1.7

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ):

    \-\

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    13

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    9

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC):

    6.4

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    13.5

  • Ciss Typ (pF):

    948

  • Package Type:

    WQFN-12

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
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WDFN12
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更多NTTFD9D0N06HL供应商 更新时间2025-10-12 22:59:00