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NTTFD018N08LC	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET, Power, 80V POWERTRENCH® Power Clip Half Bridge Configuration; • Advance Package Technology in Small Footprint (3x3mm)\n• Configured as a half bridge to reduce package parasitics\n• Low RDS(on)\n• Minimize Conduction Losses\n• Low Qg and Capacitance\n• Minimize Driver Losses\n• Capable of 4.5V Gate drive\n• Compatible with Logic Level Gate drivers\n; MOSFET, Power,80V POWERTRENCH® Power Clip Symmetric Dual N-Channel, 18mΩ @ 10V, 26A, WQFN12 3.3x3.3mm	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTTFD018N08LC	文件：276.86 Kbytes Page：9 Pages	丝印：D018；Package：WQFN12；MOSFET - Symmetrical Dual N-Channel 80 V, 18 m, 26 A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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NTTFD018N08LC

文件：300 bytes

Page：1 Pages

MOSFET, Power, 80V POWERTRENCH® Power Clip Half Bridge Configuration; • Advance Package Technology in Small Footprint (3x3mm)\n• Configured as a half bridge to reduce package parasitics\n• Low RDS(on)\n• Minimize Conduction Losses\n• Low Qg and Capacitance\n• Minimize Driver Losses\n• Capable of 4.5V Gate drive\n• Compatible with Logic Level Gate drivers\n;

MOSFET, Power,80V POWERTRENCH® Power Clip Symmetric Dual N-Channel, 18mΩ @ 10V, 26A, WQFN12 3.3x3.3mm

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

NTTFD018N08LC

文件：276.86 Kbytes

Page：9 Pages

丝印：D018；Package：WQFN12；MOSFET - Symmetrical Dual N-Channel 80 V, 18 m, 26 A

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Dual
V(BR)DSS Min (V)：
80
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.5
ID Max (A)：
26
PD Max (W)：
1.7
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
\-\
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
29
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
18
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
6
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
12.4
Ciss Typ (pF)：
856
Package Type：
WQFN-12

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	NTTFD018N08LC	onsemi(安森美)	24+	WQFN-12(3	9908	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
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更多NTTFD018N08LC供应商更新时间2025-7-28 16:12:00

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