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NTSS5100	文件：225.85 Kbytes Page：7 Pages	Schottky Rectifier, Trench-based, Low Forward Voltage, Low Leakage Features • Fine Lithography Trench−based Schottky Technology for Very Low Forward Voltage and Low Leakage • Fast Switching with Exceptional Temperature Stability • Low Power Loss and Lower Operating Temperature • Higher Efficiency for Achieving Regulatory Compliance • High Surge Capability 文件：225.85 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTSS5100	文件：72.02 Kbytes Page：6 Pages	Low Forward Voltage, Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier 文件：72.02 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTSS5100	文件：115.94 Kbytes Page：6 Pages	Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier 文件：115.94 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTSS5100	文件：300 bytes Page：1 Pages	沟槽肖特基整流器，低 VF，100V，5A The NTSS5100 is Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier.This new technology allows low forward voltage drop without the high reverse leakage trade-off experienced with planar Schottky rectifiers.This platform also provides very stable switching characteristics over a wide temperature ran • Fine Lithography Trench−based Schottky Technology for Very LowForward Voltage and Low Leakage\n• Fast Switching with Exceptional Temperature Stability\n•Low Power Loss and Lower Operating Temperature\n• Higher Efficiency for Achieving Regulatory Compliance\n• High Surge Capability\n• These are Pb−;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTSS5100_V01	文件：225.85 Kbytes Page：7 Pages	Schottky Rectifier, Trench-based, Low Forward Voltage, Low Leakage Features • Fine Lithography Trench−based Schottky Technology for Very Low Forward Voltage and Low Leakage • Fast Switching with Exceptional Temperature Stability • Low Power Loss and Lower Operating Temperature • Higher Efficiency for Achieving Regulatory Compliance • High Surge Capability 文件：225.85 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTSS5100T3G	文件：225.85 Kbytes Page：7 Pages	Schottky Rectifier, Trench-based, Low Forward Voltage, Low Leakage Features • Fine Lithography Trench−based Schottky Technology for Very Low Forward Voltage and Low Leakage • Fast Switching with Exceptional Temperature Stability • Low Power Loss and Lower Operating Temperature • Higher Efficiency for Achieving Regulatory Compliance • High Surge Capability 文件：225.85 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTSS5100_16	文件：72.02 Kbytes Page：6 Pages	Low Forward Voltage, Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier 文件：72.02 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTSS5100T3G	文件：115.94 Kbytes Page：6 Pages	Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier 文件：115.94 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTSS5100T3G	文件：72.02 Kbytes Page：6 Pages	Low Forward Voltage, Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier 文件：72.02 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Configuration：
Common Cathode
VRRM Min (V)：
100
VF Max (V)：
0.69
IRM Max (µA)：
25
IO(rec) Max (A)：
5
IFSM Max (A)：
50
Cj Max (pF)：
54.4
Package Type：
SMB-2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NTSS5100供应商更新时间2025-10-5 14:00:00

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