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NTS4101P中文资料单 P 沟道功率 MOSFET -20V,-1.37A,120mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NTS4101P

功能描述

单 P 沟道功率 MOSFET -20V,-1.37A,120mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-11-16 22:58:00

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NTS4101P规格书详情

描述 Description

This is a 20 V P-Channel Power MOSFET.

特性 Features

• Leading -20 V Trench for Low RDS(on)
• -2.5 V Rated for Low Voltage Gate Drive
• SC-70 Surface Mount For Small Footprint (2x2 mm)

应用 Application

• High Side Load Switch
• Charging Circuit
• Single Cell Battery Applications
• Cell Phones
• Digital Cameras
• PDAs

技术参数

  • 制造商编号

    :NTS4101P

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-20

  • VGS Max (V)

    :8

  • VGS(th) Max (V)

    :1.5

  • ID Max (A)

    :1.37

  • PD Max (W)

    :0.329

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :104

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :83

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :1.2

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :6.4

  • Ciss Typ (pF)

    :603

  • Package Type

    :SC-70-3/SOT-323-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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