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NTS4101P	文件：128.449 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET -20 V, -1.37 A, Single P-Channel, SC-70 文件：128.449 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTS4101P	文件：106.64 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 文件：106.64 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTS4101P_06	文件：128.449 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET -20 V, -1.37 A, Single P-Channel, SC-70 文件：128.449 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTS4101PT1	文件：128.449 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET -20 V, -1.37 A, Single P-Channel, SC-70 文件：128.449 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTS4101PT1	文件：106.64 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 文件：106.64 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTS4101PT1G	文件：1.01707 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 20 V (D-S) MOSFET 文件：1.01707 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NTS4101PT1G	文件：106.64 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 文件：106.64 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTS4101PT1G	文件：128.449 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET -20 V, -1.37 A, Single P-Channel, SC-70 文件：128.449 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTS4101P	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 P 沟道功率 MOSFET -20V，-1.37A，120mΩ This is a 20 V P-Channel Power MOSFET. • Leading -20 V Trench for Low RDS(on)\n• -2.5 V Rated for Low Voltage Gate Drive\n• SC-70 Surface Mount For Small Footprint (2x2 mm);	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
-20
VGS Max (V)：
8
VGS(th) Max (V)：
1.5
ID Max (A)：
1.37
PD Max (W)：
0.329
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
104
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
83
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
1.2
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
6.4
Ciss Typ (pF)：
603
Package Type：
SC-70-3/SOT-323-3

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深圳市科达星科技有限公司	NTS4101P	ONSEMI	24+		8900	原装现货,特价销售	询价

更多NTS4101P供应商更新时间2025-10-4 15:30:00

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