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NTS10100	文件：300 bytes Page：1 Pages	低正向电压沟槽肖特基整流器，10 A，100 V The NTS10100MFS is Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier.This new technology allows low forward voltage drop without the high reverse leakage tradeoff experienced with planar schottky rectifiers.This platform also provides very stable switching characteristics over a wide temperature r • Fine Lithography Trenchbased Schottky Technology for Very Low Forward Voltage and Low Leakage\n• Low Power Loss and Lower Operating Temperature\n• Low Thermal Resistance\n• These are PbFree and HalideFree Devices;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTS10100EMFS	文件：110.81 Kbytes Page：5 Pages	Very Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier 文件：110.81 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTS10100EMFST1G	文件：110.81 Kbytes Page：5 Pages	Very Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier 文件：110.81 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTS10100EMFST3G	文件：110.81 Kbytes Page：5 Pages	Very Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier 文件：110.81 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTS10100MFS	文件：66.8 Kbytes Page：5 Pages	Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier 文件：66.8 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTS10100MFST1G	文件：66.8 Kbytes Page：5 Pages	Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier 文件：66.8 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTS10100MFST3G	文件：66.8 Kbytes Page：5 Pages	Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier 文件：66.8 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTS10100E	文件：300 bytes Page：1 Pages	沟槽肖特基整流器，极低漏，10 A，100 V The NTS10100EMFS is a very low leakage Trench-based Schottky Rectifier.This new technology allows low forward voltage drop without the high reverse leakage tradeoff experienced with planar schottky rectifiers.This platform also provides very stable switching characteristics over a wide temperature r • Fine Lithography Trenchbased Schottky Technology for Very Low Forward Voltage and Low Leakage\n• Low Power Loss and Lower Operating Temperature\n• Low Thermal Resistance\n• These are PbFree and HalideFree Devices;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTS10100EMFST3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-PowerTDFN，5 引线；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 100V 10A 5DFN	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTS10100MFST1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-PowerTDFN，5 引线；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 100V 10A 5DFN	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Configuration：
Single/Trench
VRRM Min (V)：
100
VF Max (V)：
0.61
IRM Max (µA)：
50
IO(rec) Max (A)：
10
IFSM Max (A)：
200
Package Type：
SO-8FL/DFN-5

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