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NTP5864N	文件：69.99 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：69.99 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTP5864N	文件：1.58173 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.58173 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
NTP5864NG	文件：111.59 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 60 V, 63 A, 12.4 mOhm 文件：111.59 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTP5864NG	文件：957.02 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：957.02 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NTP5864N	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率 MOSFET，60V，63A，12.4mΩ Power MOSFET 60 V, 63 A, 12.4 mOhm • Low RDS(on)\n• High Current Capability\n• Avalanche Energy Specified\n• RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
60
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
63
PD Max (W)：
107
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
12.4
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
31
Ciss Typ (pF)：
1680
Package Type：
TO-220-3

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更多NTP5864N供应商更新时间2025-10-6 8:04:00

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