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NTNS3C94NZ	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 N 沟道小信号 MOSFET，12V，384mA，480mΩ; • Ultra Low Profile XLLGA3 0.62 x 0.62 x 0.4 mm Package\n• Ideal for Space-Constraint Electronic Environments\n• Ultra Low RDS(on)\n• System Efficiency Improvement\n• 1.8 V Gate Voltage Rating\n• RoHS Compliant\n; Small Signal MOSFET\n12 V, 384 mA, Single N−Channel,\n0.62 x 0.62 x 0.4 mm XLLGA3 Package	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTNS3C94NZ	文件：71.84 Kbytes Page：6 Pages	Small Signal MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTNS3C94NZ	文件：59.37 Kbytes Page：3 Pages	Single N-Channel Small Signal MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
12
VGS Max (V)：
±10
VGS(th) Max (V)：
1
ID Max (A)：
0.4
PD Max (W)：
0.12
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
800
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
480
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
1.4
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
0.6
Ciss Typ (pF)：
35
Package Type：
XLLGA-3

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