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NTNS3164NZ	文件：125.38 Kbytes Page：6 Pages	Small Signal MOSFET 20 V, 361 mA, Single N.Channel, SOT.883 (XDFN3) 1.0 x 0.6 x 0.4 mm Package 文件：125.38 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTNS3164NZ	文件：100.58 Kbytes Page：4 Pages	20 V, 245 mA, Single N.Channel, SOT.883 (XDFN3) 1.0 x 0.6 x 0.4 mm Package 文件：100.58 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTNS3164NZ_13	文件：125.38 Kbytes Page：6 Pages	Small Signal MOSFET 20 V, 361 mA, Single N.Channel, SOT.883 (XDFN3) 1.0 x 0.6 x 0.4 mm Package 文件：125.38 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTNS3164NZT5G	文件：125.38 Kbytes Page：6 Pages	Small Signal MOSFET 20 V, 361 mA, Single N.Channel, SOT.883 (XDFN3) 1.0 x 0.6 x 0.4 mm Package 文件：125.38 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTNS3164NZT5G	文件：100.58 Kbytes Page：4 Pages	20 V, 245 mA, Single N.Channel, SOT.883 (XDFN3) 1.0 x 0.6 x 0.4 mm Package 文件：100.58 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTNS3164NZ	文件：300 bytes Page：1 Pages	小信号 MOSFET 20V 245mA 1.5 Ω 单 N 沟道 SOT883，带 ESD 保护 Small Signal MOSFET 20V 245mA 1.5 Ohm Single N Channel SOT883 with ESD Protection • Ultra Low Profile SOT883 (XDFN3) 1.0 x 0.6 x 0.4 mm Package\n• Ideal for Space-Constraint Environments\n• Low RDS(on) Solution in the Ultra Small 1.0 x 0.6 mm Package\n• Minimize Conduction Losses and Improve efficiencies\n• 1.5 V Gate Drive\n• Operates at Low Logic Level voltage\n• RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
20
VGS Max (V)：
8
VGS(th) Max (V)：
1
ID Max (A)：
0.361
PD Max (W)：
0.155
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
1000
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
700
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
0.8
Ciss Typ (pF)：
24
Package Type：
SOT-883

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市卓越微芯电子有限公司	NTNS3164NZ	ON	25+	SOT-883	5000	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
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更多NTNS3164NZ供应商更新时间2025-10-11 14:08:00

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