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NTMYS2D2N06CL	文件：348.09 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET – Power, Single, N-Channel Features SmallFootprint(5x6mm)forCompactDesign LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses LFPAK4Package,IndustryStandard TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVMYS2D2N06CL	文件：346.02 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET??Power,SingleN-Channel60V,2.0m,185A Features •SmallFootprint(5x6mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •LFPAK4Package,IndustryStandard •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVMYS2D2N06CLTWG	文件：346.02 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET??Power,SingleN-Channel60V,2.0m,185A Features •SmallFootprint(5x6mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •LFPAK4Package,IndustryStandard •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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