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NTMFS6H836NL	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET, Single N-Channel, 80V, 77A, 6.2 mOhm;	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMFS6H836NL	文件：184.87 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET - Power, Single N-Channel 80 V, 6.2 m, 77 A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMFS6H836NLT1G	文件：184.87 Kbytes Page：7 Pages	丝印：6H836L；Package：DFN5；MOSFET - Power, Single N-Channel 80 V, 6.2 m, 77 A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVMFS6H836N	文件：187.53 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET-Power,SingleN-Channel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVMFS6H836NL	文件：187.04 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET-Power,SingleN-Channel80V,6.2m,77A Features •SmallFootprint(5x6mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVMFS6H836NLWF−WettableFlankOptionforEnhancedOpticalInspection •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Freeand	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
80
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2
ID Max (A)：
77
PD Max (W)：
3.7
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
\-\
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
7.8
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
6.2
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
16
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
34
Ciss Typ (pF)：
1950
Package Type：
SO-8FL/DFN-5

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