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NTMFS5C670NLT3G	文件：85.49 Kbytes Page：6 Pages	Single N-Channel Field Effect Transistor Features • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant 文件：85.49 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFS5C670NLT3G	文件：127.5 Kbytes Page：7 Pages	Single N?묬hannel Power MOSFET 文件：127.5 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFS5C670NLT3G	文件：127.1 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：127.1 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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