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NTMFS5C450N	文件：80.2 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：80.2 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS5C450NL	文件：88.51 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET Single N?묬hannel 文件：88.51 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS5C450NLT1G	文件：88.51 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET Single N?묬hannel 文件：88.51 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS5C450NLT3G	文件：88.51 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET Single N?묬hannel 文件：88.51 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS5C450NT1G	文件：80.2 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：80.2 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS5C450NT3G	文件：80.2 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：80.2 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS5C450N	文件：300 bytes Page：1 Pages	Single N-Channel Power MOSFET 40V, 102A, 3.3mΩ Power MOSFET 40V, 102A, 3.3 mΩ, Single N-Channel • Low RDS(on)\n• Minimize conduction loss\n• SO-8FL package (5x6)\n• Space saving, thermally enhanced\n• Low Input Capacitance\n• Minimize switching loss\n• RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS5C450NL	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 N 沟道，功率 MOSFET，40V，110A，2.8mΩ Power MOSFET 40 V, 2.8 mΩ, 110 A, Single N-Channel • Low RDS(on)\n• Low Input Capacitance\n• Maximum Junction Temperature of 175°C\n• Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design\n• RoHS Compliant\n;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
40
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
3.5
ID Max (A)：
102
PD Max (W)：
68
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
3.3
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
2.5
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
23
Ciss Typ (pF)：
1600
Package Type：
SO-8FL/DFN-5

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