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NTMFS5C430NL	文件：126.7 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET Dual N?묬hannel 文件：126.7 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS5C430NL	文件：83.15 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：83.15 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS5C430NL_16	文件：83.15 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：83.15 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS5C430NLT1G	文件：83.15 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：83.15 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS5C430NLT1G	文件：126.7 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET Dual N?묬hannel 文件：126.7 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS5C430NLT3G	文件：126.7 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET Dual N?묬hannel 文件：126.7 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS5C430NLT3G	文件：83.15 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：83.15 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS5C430NL	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 N 沟道，功率 MOSFET，40V，200A，1.4mΩ Power MOSFET 40 V, 1.4 mΩ, 200 A, Single N−Channel • Low RDS(on)\n• Minimize conduction losses\n• Low input capacitance\n• Minimize switching losses\n• Maximum junction temperature of 175C\n• Offers a wider design margin for thermally challenged applications\n• Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design\n• RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
40
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2
ID Max (A)：
200
PD Max (W)：
110
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
2.2
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
1.4
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
23
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
70
Ciss Typ (pF)：
4300
Package Type：
SO-8FL/DFN-5

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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