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NTMFS5C404NLT	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 N 沟道，功率 MOSFET，40V，370A，0.67mΩ; • Low RDS(on)\n• Minimize conduction losses\n• Low input capacitance\n• Minimize switching losses\n• Maximum junction temperature of 175C\n• Offers a wider design margin for thermally challenged applications\n• Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design\n• NTMFS5C404NLTWF − Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection\n• RoHS Compliant\n; Power MOSFET 40 V, 0.67 mΩ, 370 A, Single N−Channel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMFS5C404NLT	文件：127.21 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET Dual N?묬hannel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMFS5C404NLT1G	文件：81.26 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
40
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
2
ID Max (A)：
370
PD Max (W)：
68
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
1
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
0.67
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
66
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
81
Ciss Typ (pF)：
12168
Package Type：
SO-8FL/DFN-5

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更多NTMFS5C404NLT供应商更新时间2025-7-27 13:01:00

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