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NTMFS4H02NF	文件：91.18 Kbytes Page：7 Pages	Single N?묬hannel Power MOSFET 文件：91.18 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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NTMFS4H02N	文件：300 bytes Page：1 Pages	Single N−Channel Power MOSFET 25V, 193A, 1.4mΩ Power MOSFET 25V 193A 1.4 mOhm Single N−Channel SO−8FL FETky • Optimized Design to Minimize Conduction and Switching Losses\n• Optimized Package to Minimize Parasitic Inductances\n• Optimized material for improved thermal performance\n• RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4H02NF	文件：300 bytes Page：1 Pages	Single N−Channel Power MOSFET 25V, 193A, 1.4mΩ Power MOSFET 25 V, 193 A, Single N−Channel, SO−8FL • Integrated Schottky Diode\n• Optimized Design to Minimize Conduction and Switching Losses\n• Optimized Package to Minimize Parasitic Inductances\n• Optimized material for improved thermal performance\n• RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
25
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.1
ID Max (A)：
193
PD Max (W)：
83
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
2.3
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
1.7
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
81
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
18
Ciss Typ (pF)：
2652
Package Type：
SO-8FL/DFN-5

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