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NTMFS4H01N	文件：91.07 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET Single N?묬hannel 文件：91.07 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4H01NF	文件：88.28 Kbytes Page：7 Pages	Single N?묬hannel Power MOSFET 文件：88.28 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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NTMFS4H01N	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 N 沟道，功率 MOSFET，25V，334A，0.7mΩ Power MOSFET 25 V, 334 A, Single N−Channel, SO−8FL • Optimized Design to Minimize Conduction and Switching Losses\n• Optimized Package to Minimize Parasitic Inductances\n• Optimized material for improved thermal performance\n• RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4H01NF	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 N 沟道，功率 MOSFET，25V，334A，0.7mΩ Power MOSFET 25V 334A 0.7 mOhm Single N−Channel SO−8FL FETky • Integrated Schottky Diode\n• Optimized Design to Minimize Conduction and Switching Losses\n• Optimized material for improved thermal performance\n• RoHS Compliant\n;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
25
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.1
ID Max (A)：
334
PD Max (W)：
125
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
0.97
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
0.7
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
18
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
39
Ciss Typ (pF)：
5538
Package Type：
SO-8FL/DFN-5

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