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NTMFS4H013NF	文件：96.79 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：96.79 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4H013NFT1G	文件：96.79 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：96.79 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4H013NFT3G	文件：96.79 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：96.79 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4H013NF	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 N 沟道，功率 MOSFET，25V，269A，0.9mΩ Power MOSFET 25 V, 269 A, Single N−Channel, SO−8FL • Integrated Schottky Diode\n• Optimized Package to Minimize Parasitic Inductances\n• RoHS Compliant\n;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
25
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.1
ID Max (A)：
269
PD Max (W)：
104
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
1.4
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
0.9
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
81
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
28
Ciss Typ (pF)：
3923
Package Type：
SO-8FL/DFN-5

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更多NTMFS4H013NF供应商更新时间2026-2-6 15:08:00

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