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NTMFS4C35N	文件：127.83 Kbytes Page：6 Pages	Single N?묬hannel Power MOSFET 文件：127.83 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4C35NT1G	文件：127.83 Kbytes Page：6 Pages	Single N?묬hannel Power MOSFET 文件：127.83 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4C35NT3G	文件：127.83 Kbytes Page：6 Pages	Single N?묬hannel Power MOSFET 文件：127.83 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4C35N	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 N 沟道功率 MOSFET 30V，80A，3.2mΩ Power MOSFET \n30 V, 80 A, Single N−Channel, SO−8 FL • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses\n• Low Capacitance to Minimize Driver Losses\n• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses\n• RoHS Compliant\n;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
30
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.2
ID Max (A)：
80
PD Max (W)：
33
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
4
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
3.2
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
15
Ciss Typ (pF)：
2300
Package Type：
SO-8FL/DFN-5

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NTMFS4C35N供应商更新时间2025-11-30 11:00:00

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