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NTMFS4C08N

Power MOSFET

文件:90.64 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMFS4C08N

Power MOSFET 30 V, 52 A, Single N?묬hannel, SO?? FL

文件:129.419 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMFS4C08NT1G

Power MOSFET

文件:90.64 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMFS4C08NT1G

Power MOSFET 30 V, 52 A, Single N?묬hannel, SO?? FL

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ONSEMI

安森美半导体

NTMFS4C08NT3G

Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

NTMFS4C08NT3G

Power MOSFET 30 V, 52 A, Single N?묬hannel, SO?? FL

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ONSEMI

安森美半导体

NTMFS4C08N

Single N-Channel Power MOSFET 30V 52A 5.8mΩ

Power MOSFET 30 V, 52 A, Single N−Channel, SO−8 FL • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses\n• Low Capacitance to Minimize Driver Losses\n• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses\n• RoHS Compliant;

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    30

  • VGS Max (V):

    20

  • VGS(th) Max (V):

    2.1

  • ID Max (A):

    52

  • PD Max (W):

    25.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    8.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    5.8

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    8.4

  • Ciss Typ (pF):

    1113

  • Package Type:

    SO-8FL/DFN-5

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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SO-8FL
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ON/安森美
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更多NTMFS4C08N供应商 更新时间2025-10-7 8:31:00