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NTMFS4C08N

Single N-Channel Power MOSFET 30V 52A 5.8mΩ; • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses\n• Low Capacitance to Minimize Driver Losses\n• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses\n• RoHS Compliant\n;

Power MOSFET 30 V, 52 A, Single N−Channel, SO−8 FL

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NTMFS4C08N

Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

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NTMFS4C08N

Power MOSFET 30 V, 52 A, Single N?묬hannel, SO?? FL

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NTMFS4C08NT1G

Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NTMFS4C08NT1G

Power MOSFET 30 V, 52 A, Single N?묬hannel, SO?? FL

ONSEMION Semiconductor

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NTMFS4C08NT3G

Power MOSFET 30 V, 52 A, Single N?묬hannel, SO?? FL

ONSEMION Semiconductor

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NTMFS4C08NT3G

Power MOSFET

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技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    30

  • VGS Max (V):

    20

  • VGS(th) Max (V):

    2.1

  • ID Max (A):

    52

  • PD Max (W):

    25.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    8.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    5.8

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    8.4

  • Ciss Typ (pF):

    1113

  • Package Type:

    SO-8FL/DFN-5

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多NTMFS4C08N供应商 更新时间2025-7-28 14:45:00