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NTMFS4C054N	文件：88.32 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：88.32 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4C054NT1G	文件：88.32 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：88.32 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4C054NT3G	文件：88.32 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：88.32 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4C054N	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 N 沟道，功率 MOSFET，30V，80 A，2.54mΩ Power MOSFET 30 V, 80 A, Single N−Channel, SO−8 FL • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses\n• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses\n• RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
30
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.2
ID Max (A)：
80
PD Max (W)：
21
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
3.56
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
2.54
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
32.5
Ciss Typ (pF)：
2300
Package Type：
SO-8FL/DFN-5

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