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NTMFS4C03N	文件：125.45 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET Dual N?묬hannel 文件：125.45 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4C03NT1G	文件：125.45 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET Dual N?묬hannel 文件：125.45 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4C03NT3G	文件：125.45 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET Dual N?묬hannel 文件：125.45 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4C03N	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 N 沟道，功率 MOSFET，30V，136A，2.1mΩ Power MOSFET 30V 136A 2.1 mΩ Single N−Channel SO−8FL • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design\n• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses\n• Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses\n• RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
30
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.2
ID Max (A)：
136
PD Max (W)：
64
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
2.8
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
2.1
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
19.8
Ciss Typ (pF)：
3071
Package Type：
SO-8FL/DFN-5

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更多NTMFS4C03N供应商更新时间2025-10-12 16:50:00

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