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NTMFS4C032N

单 N 沟道,功率 MOSFET,30V,38 A,7.35mΩ; • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses\n• Low Capacitance to Minimize Driver Losses\n• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses\n• RoHS Compliant\n;

Power MOSFET 30 V, 38 A, Single N−Channel, SO−8 FL

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NTMFS4C032N

Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

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NTMFS4C032NT1G

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NTMFS4C032NT3G

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技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    30

  • VGS Max (V):

    20

  • VGS(th) Max (V):

    2.1

  • ID Max (A):

    38

  • PD Max (W):

    0.33

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    11.15

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    7.35

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC):

    15

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    15.2

  • Ciss Typ (pF):

    770

  • Package Type:

    SO-8FL/DFN-5

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更多NTMFS4C032N供应商 更新时间2025-7-28 15:08:00