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NTMFS4C028N	文件：92.94 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：92.94 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4C028NT1G	文件：92.94 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：92.94 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4C028NT3G	文件：92.94 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：92.94 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4C028N	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 N 沟道，功率 MOSFET，30V，52 A，4.73mΩ Power MOSFET 30 V, 52 A, Single N−Channel, SO−8 FL • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses\n• Low Capacitance to Minimize Driver Losses\n• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses\n• RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
30
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.1
ID Max (A)：
52
PD Max (W)：
92
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
7
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
4.73
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
22.2
Ciss Typ (pF)：
1252
Package Type：
SO-8FL/DFN-5

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更多NTMFS4C028N供应商更新时间2025-12-11 15:08:00

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