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NTMFS4C027N	文件：300 bytes Page：1 Pages	Single N−Channel Power MOSFET 30 V, 52 A, 4.8mΩ; • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses\n• Low Capacitance to Minimize Driver Losses\n• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses\n• RoHS Compliant\n; Power MOSFET 30 V, 52 A, Single N−Channel, SO−8 FL	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMFS4C027N	文件：89.14 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMFS4C027NT1G	文件：89.14 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMFS4C027NT3G	文件：89.14 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
30
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.1
ID Max (A)：
52
PD Max (W)：
77
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
7.47
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
4.8
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
18.2
Ciss Typ (pF)：
1113
Package Type：
SO-8FL/DFN-5

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