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NTMFS4C022N	文件：83.98 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：83.98 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4C022NT1G	文件：83.98 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：83.98 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4C022NT3G	文件：83.98 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：83.98 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4C022N	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率 MOSFET，30 V，136A，1.7 mΩ，单 N 沟道，SO−8FL Power MOSFET 30V 136A 1.7 mOhm Single N−Channel SO−8FL • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design\n• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses\n• Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses\n• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
30
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.2
ID Max (A)：
136
PD Max (W)：
64
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
2.4
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
1.7
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
45.2
Ciss Typ (pF)：
3071
Package Type：
SO-8FL/DFN-5

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