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NTMFS4955N	文件：122.68 Kbytes Page：7 Pages	Single N?묬hannel Power MOSFET 文件：122.68 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4955NT1G	文件：122.68 Kbytes Page：7 Pages	丝印：4955N；Package：SO-8FL；Single N?묬hannel Power MOSFET 文件：122.68 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4955NT1G	文件：118.59 Kbytes Page：7 Pages	丝印：4955N；Package：SO-8FL；Power MOSFET 30 V, 48 A, Single N?묬hannel, SO?? FL 文件：118.59 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4955NT1G	文件：123.05 Kbytes Page：7 Pages	丝印：4955N；Package：SO-8FL；Power MOSFET 30 V, 48 A, Single N?묬hannel, SO?? FL 文件：123.05 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4955NT3G	文件：122.68 Kbytes Page：7 Pages	Single N?묬hannel Power MOSFET 文件：122.68 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4955NT3G	文件：123.05 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30 V, 48 A, Single N?묬hannel, SO?? FL 文件：123.05 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4955N	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 N 沟道，功率 MOSFET，30V，48A，6mΩ Power MOSFET 30V N Channel, 48A, SO8FL package • Optimized Qg and Rg\n• Improve Signal Quality and Minimize Switching Losses\n• Low Capacitance\n• Minimize Driver Loss\n• Low RDS(on)\n• Improve Efficiency \n• RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
30
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.2
ID Max (A)：
48
PD Max (W)：
2.7
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
8.5
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
5.6
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
21.5
Ciss Typ (pF)：
1264
Package Type：
SO-8FL/DFN-5

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更多NTMFS4955N供应商更新时间2025-11-29 16:20:00

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